君联资本投资企业长鑫科技在科创板成功上市
发布时间：2026-07-27
7月27日，君联资本所投国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头企业长鑫科技（688825.SH）在上海证券交易所科创板成功上市。
左起：长鑫科技董事长朱一明、长鑫科技总裁/首席执行官曹堪宇、君联资本总裁李家庆
长鑫科技成立于2016年，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。根据Omdia数据，按2025年第四季度销售额统计，长鑫科技全球DRAM市场份额已增至7.67%，成为继三星电子、SK海力士和美光之后全球第四大DRAM厂商，也是目前中国大陆唯一实现DRAM自主研发、设计及规模化量产的企业。
公司高度重视自主技术研发和创新，在DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节构建了全面、完善的核心技术体系，形成了丰富的自主知识产权。经过多年发展，公司突破了DRAM关键核心技术并顺利实现产品自主研发、设计和商业化量产，填补了中国大陆DRAM产品在全球市场上的长期空白。
招股书显示，公司凭借不断优化的产品结构、持续迭代的工艺水平、日臻成熟的运营能力以及广泛的市场认可，营业收入持续增长，并于2025年实现盈利。本次发行上市完成后，公司将借助上市平台和更完善的治理结构，进一步发挥公司技术、产品、市场和组织管理优势，持续提升核心竞争力创造长期价值。
君联资本于2020年、2021年两次投资长鑫科技。投资后，君联资本充分发挥在半导体芯片的产业生态资源，在公司产业链协同等方面提供支持。
君联资本表示：
祝贺长鑫科技成功上市，公司凭借原创的自主研发能力，打破了全球DRAM行业长期由少数国际厂商寡头垄断的格局，这也是中国集成电路产业在存储芯片领域实现自主突破的里程碑事件。我们期待公司以上市为新起点，持续攻克关键核心技术，加速产能建设与产品迭代，从“追赶者”向“引领者”迈进，为实现中国集成电路产业的高水平科技自立自强贡献更大力量。
半导体集成电路作为数字经济和新一代信息技术产业的战略基石，其技术迭代、产业成熟度与国家安全和经济增长息息相关，一直是全球科技竞争的技术制高点。君联资本对全球半导体领域高度关注，积极布局集成电路产业链，重点关注存储芯片、半导体设备与材料、芯片设计等方向。在存储芯片领域，长鑫科技是君联资本在该赛道的重要布局。
近年来，君联资本通过现有基金组合及资金端生态协同，在半导体产业生态中累计投资了近80家优秀企业。君联资本长期围绕“大难长”方向进行科创布局，并持续深耕，致力于构建贯通自主创新、产业链生态构建与科技金融服务的“新质创投样本”。
